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NCE40NP2815G
NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET
Description
TheNCE40NP2815Gusesadvancedtrenchtechnology
anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate
charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
NchannelSchematicdiagram
●V40V,I28A
DSD
RDS(ON)18mΩ@VGS10V
RDS(ON)28mΩ@VGS4.5V
pchannel
●V-40V,I-15A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS-10V
RDS(ON)45mΩ@VGS-4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●FullycharacterizedavalanchevoltageandcurrentMarkingandpinassignment
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
Application
●H-bridgeTopViewBottomView
●Inverters
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
40NP2815GNCE40NP2815GDFN5X6-8L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS40-40V
Gate-SourceVoltageVGS±20±20V
T25℃28-15
C
ContinuousDrainCurrent
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