NCE60P70G深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE60P70G

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

DescriptionGeneralFeatures

TheNCE60P70Gusesadvancedtrenchtechnologyand●V-60V,I-70A

DSD

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisRDS(ON)11mΩ(typical)@VGS-10V

deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.RDS(ON)13mΩ(typical)@VGS-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

Application●Verylowon-resistanceRDS(on)

●Highsideswitchforfullbridgeconverter●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●DC/DCconverterforLCDdisplay●150°Coperatingtemperature

100%UISTESTED!●Pb-freeleadplating

100%ΔVdsTESTED!

DFN5X6

SchematicDiagram

TopViewBottomView

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE60P70GNCE60P70GDFN5X6-8L---

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-60V

Gate-SourceVoltageVGS

该用户很懒，什么也没介绍

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