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NCE1216
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE1216usesadvancedtrenchtechnologytoprovideD
excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate
voltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchingG
applicationandawidevarietyofotherapplications.
S
GeneralFeatures
Schematicdiagram
●VDS-12V,ID-16A
RDS(ON)22mΩ@VGS-2.5V
RDS(ON)18mΩ@VGS-4.5V
●AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology
●Ultralowon-resistancewithlowgatecharge
Pinassignment
Application
●PWMapplications
●Loadswitch
●Batterychargeincellularhandset
DFN2X2-6Lbottomview
Packagemarkingandorderinginformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapeWidthQuantity
1216NCE1216DFN2X2-6L---
Absolutemaximumratings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-12V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
DrainCurrent-ContinuousID-16A
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