NCE4614C深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE4614C

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE4614Cusesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary

MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside

switch,andforahostofotherapplications.

N-channelP-channel

GeneralFeaturesSchematicdiagram

●N-Channel

V40V,I6A

DSD

RDS(ON)33mΩ@VGS10V(Typ)

RDS(ON)48mΩ@VGS4.5V(Typ)

●P-Channel

VDS-40V,ID-4A

RDS(ON)69mΩ@VGS-10V(Typ)Markingandpinassignment

RDS(ON)100mΩ@VGS-4.5V(Typ)

●Highpowerandcurrenthandingcapability

●Leadfreeproductisacquired

●Surfacemountpackage

SOP-8topview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE4614CNCE4614CSOP-8Ø330mm12mm4000units

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit

Drain-SourceVoltageVDS40-40V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20V

T25℃6-4

Conti

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