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NCE20P09S
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
D1D2
Description
TheNCE20P09Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide
G1G2
excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate
voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa
S1S2
loadswitchorinPWMapplications.
Schematicdiagram
GeneralFeatures
●VDS-20V,ID-9A
RDS(ON)28mΩ@VGS-4.5V
RDS(ON)40mΩ@VGS-2.5V
●Highpowerandcurrenthandingcapability
●Leadfreeproductisacquired
●SurfaceMountPackage
Markingandpinassignment
Application
●Motordrive
●Loadswitch
●Powermanagement
SOP-8topview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE20P09NCE20P09SSOP-8Ø330mm12mm4000units
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
A℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-20V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
DrainCurrent-Continuous
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