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PbFreeProduct
NCE30D2519K
NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET
Description
TheNCE30D2519Kusesadvancedtrenchtechnology
anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate
charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
Nchannel
●V=30V,I=25ASchematicdiagram
DSD
RDS(ON)12mΩ@VGS=10V
RDS(ON)18mΩ@VGS=4.5V
pchannel
●V=-30V,I=-19A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)65mΩ@VGS=-4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEASMarkingandpinassignment
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability100%UISTESTED!
Application
●H-bridge100%∆VdsTESTED!
●Inverters
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
30D2519KNCE30D2519KTO-252-4L---
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS30-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20±20
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