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PbFreeProduct

NCE30D2519K

NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET

Description

TheNCE30D2519Kusesadvancedtrenchtechnology

anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate

charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

Nchannel

●V=30V,I=25ASchematicdiagram

DSD

RDS(ON)12mΩ@VGS=10V

RDS(ON)18mΩ@VGS=4.5V

pchannel

●V=-30V,I=-19A

DSD

RDS(ON)35mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)65mΩ@VGS=-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEASMarkingandpinassignment

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability100%UISTESTED!

Application

●H-bridge100%∆VdsTESTED!

●Inverters

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

30D2519KNCE30D2519KTO-252-4L---

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit

Drain-SourceVoltageVDS30-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20

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