NCE30NP1812G深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30NP1812G

NCEN-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30NP1812Gusesadvancedtrenchtechnologyto

provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis

suitableforuseininverterandotherapplications.

GeneraFeatures

N-channelP-channel

Schematicdiagram

●V30V,I18A●V-30V,I-12A

DSDDSD

RDS(ON)24mΩ@VGS10VRDS(ON)35mΩ@VGS-10V

RDS(ON)37mΩ@VGS4.5VRDS(ON)75mΩ@VGS-4.5V

●HighPowerandcurrenthandingcapability

●Leadfreeproductisacquired

Pinassignment

●Surfacemountpackage

DFN5X6-8LBottomView

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

30NP1812GNCE30NP1812GDFN5X6-8L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolN-channelP-channelUnit

Drain-SourceVoltageVDS30-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20V

T25°C18-12A

DrainCurrent-Continuous(Note2)ID

该用户很懒，什么也没介绍

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