NCE60NP2016G深圳恒锐丰科技.pdf

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PbFreeProduct

NCE60NP2016G

NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET

Description

TheNCE60NP2016Gusesadvancedtrenchtechnology

anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate

charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

Schematicdiagram

Nchannel

●V60V,I20A

DSD

RDS(ON)28mΩ@VGS10V

RDS(ON)32mΩ@VGS4.5V

pchannel

●V-60V,I-16A

DSD

RDS(ON)60mΩ@VGS-10V

RDS(ON)72mΩ@VGS-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●FullycharacterizedavalanchevoltageandcurrentMarkingandpinassignment

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability

Application

●H-bridgeTopViewBottomView

●Inverters

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

60NP2016GNCE60NP2016GDFN5X6-8L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit

Drain-SourceVoltageVDS60-60V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20V

T25℃

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