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NCE60P09K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
GeneralFeatures
Description
●V=-60V,I=-9A
DSD
TheNCE60P09Kusesadvancedtrenchtechnologyanddesign
RDS(ON)173mΩ@V=-10VI=-7A
GSD
toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis
R210mΩ@V=-10VI=-9A
DS(ON)GSD
wellsuitedforuseasaloadswitchorinPWMapplications.
RDS(ON)220mΩ@V=-4.5VI=-4A
GSD
Application
●Loadswitch
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●PWMapplication
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
100%UISTESTED!
●175°Coperatingtemperature
100%ΔVdsTESTED!
●Pb-freeleadplating
TO-252
SchematicDiagram
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackage
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