NCE60P09K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE60P09K

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures

Description

●V=-60V,I=-9A

DSD

TheNCE60P09Kusesadvancedtrenchtechnologyanddesign

RDS(ON)173mΩ@V=-10VI=-7A

GSD

toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis

R210mΩ@V=-10VI=-9A

DS(ON)GSD

wellsuitedforuseasaloadswitchorinPWMapplications.

RDS(ON)220mΩ@V=-4.5VI=-4A

GSD

Application

●Loadswitch

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●PWMapplication

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

100%UISTESTED!

●175°Coperatingtemperature

100%ΔVdsTESTED!

●Pb-freeleadplating

TO-252

SchematicDiagram

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackage

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