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NCE609
NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE609usesadvancedtrenchtechnologytoprovide
excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary
MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside
switch,andforahostofotherapplications.
GeneralFeatures
●N-ChannelSchematicdiagram
V=40V,I=21A
DSD
RDS(ON)19mΩ@VGS=10V
RDS(ON)29mΩ@VGS=4.5V
●P-Channel
V=-40V,I=-14A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)45mΩ@VGS=-4.5V
Markingandpinassignment
●Highpowerandcurrenthandingcapability
●Leadfreeproductisacquired100%UISTESTED!
●Surfacemountpackage
100%∆VdsTESTED!
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE609NCE609TO-252-4L---
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS40-40V
Gate-SourceVoltageVGS±20±20V
T=25℃21-14
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