NCE30NP1812Q深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30NP1812Q

NCEN-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30NP1812Qusesadvancedtrenchtechnologyto

provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis

suitableforuseininverterandotherapplications.

GeneraFeatures

N-channelP-channel

Schematicdiagram

●V=30V,I=18A●V=-30V,I=-12A

DSDDSD

RDS(ON)24mΩ@VGS=10VRDS(ON)35mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)37mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)75mΩ@VGS=-4.5V

●HighPowerandcurrenthandingcapability

●Leadfreeproductisacquired

Pinassignment

●Surfacemountpackage

DFN3.3X3.-8LBottomView

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30NP1812QNCE30NP1812QDFN3X3-8L---

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolN-channelP-channelUnit

Drain-SourceVoltageVDS30-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20V

T=25°C18-12A

该用户很懒，什么也没介绍

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