NCE60P03R深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE60P03R

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

GeneralFeatures

TheNCE60P03Rusesadvancedtrenchtechnologyanddesign

●V-60V,I-3A

DSD

toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis

RDS(ON)170mΩ@VGS-10V

wellsuitedforuseasaloadswitchorinPWMapplications.

RDS(ON)220mΩ@VGS-4.5V

Application

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Loadswitch

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●PWMapplication

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●150°Coperatingtemperature

100%UISTESTED!

●Pb-freeleadplating

100%ΔVdsTESTED!

SOT-223-3L

SchematicDiagram

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE60P03RNCE60P03RSOT-223-3LØ330mm16mm2500units

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

Parameter

该用户很懒，什么也没介绍

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