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模拟电子电路例题_半导体器件例题:
1.电路如例图(a)所示。当开关S分别在“1”和“2”时,问哪一个位置的Ic较大,哪一个位置的
集电极与发射极之间的耐压较高,为什么?
(a)(b)
[解]:S置于“1”时,发射结被短路,这时的Ic为集电结反向饱和电流;C、E极间的耐
压为。S置于“2”时,基极开路,Vcc被集电结和发射结分压,使发射结正向偏置、集电
结反向偏置,此时的;C、E极间耐压为。故S置于位置“2”是
的Ic较大;在位置“1”时,管子集电极与发射极间的耐压较高。
分析:S置于“2”时,晶体管内部的载流子分配关系如例图(b)所示。Vcc在两个“结”上分
压,使发射结(J)正就偏、集电结(J)反偏。从发射区扩散到基区的多子中,有一部分在基
EC
区复合形成电流,大部分飘移到集电区,形成,即。集电结还有少子漂移电流,
由于IB=0,故=,。
2.测得各晶体管在无信号输入时,三个电极相对于地的电压如例图三所示。问哪些管子工作于
放大状态,哪些处于截止、饱和、倒置状态,哪些管子已经损坏?
[解]
工作于放大状态时,晶体管的发射结正向偏置、集电结反向偏置。故图(b)、(e)、(g)
中的晶体管工作于放大状态。
晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置时,工作于饱和状态。本题中的图(d)、(f),
其晶题管处于饱和状态。
晶体管的发射结和集电结均处于反向偏置时,工作于截止状态。本题的图(a)中晶体管工
作于截止状态。
图(c)中的晶体管工作于倒置状态,因为它的发射结被反向偏置,集电结被正向偏置。
图(h)中的晶体管,其VBE=2.7V,已远大于硅NPN型晶体管发射结正向偏置时的电压,
故该管已损坏。
分析:1)发射结与集电结的偏置情况是判断管子工作状态的依据;2)发射结正向偏置时,
硅管和锗管的|VBE|分别约为0.6~0.8V和0.2~0.4V。当发射结正向偏置、且|VBE|远远大于这一
范围时,管子发射极与基极间已开路,而|V|=0时,两个电极间已短路,管子均可能已经损坏。
BE
模拟电子电路例题_基本放大电路例题:
1.已知如图所示,R1=10kΩ,R2=51kΩ,Rc=3kΩ,Re=500Ω,Vcc=12V,3DG4的β=30。
(1)计算ICQ,IBQ,VCEQ。
(2)若换上一只β=60的同类型管,估计放大电路能否正常工作。
(3)若温度由升到,试说明V(对地)将如何变化(增加或减少)。
c
(4)如果换上PNP型的三极管,试说明应作哪些改动(包括电容的极性)才能保证正常工
作。若β仍为30,则各静态值将有多大的变化?
解:(1)这种电路的特点是基极电位基本固定,进而固定了IE和IC,因此分析Q点的思
路是:
所以
(2)换上β=60的同类型管子,ICQIEQ不变,放大电路照常工作,只是IBQ变了。
(3)若温度升高
这也可用图解法直观解释:
温度,由,作负载线OA如图示,工作点由Q移到Q,引起IC增加。
(4)如果换上PNP管,则应将电源V及电解电容的极性反向才能正常工作,此时VB=-
CC
2V,若
β仍为30,则
,注意VBE=-0.2V
则
在PN
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