NCE1205深圳恒锐丰科技.pdf

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PbFreeProduct

NCE1205

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE1205usesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary

MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside

switch,andforahostofotherapplications.

GeneralFeatures

●N-Channel

N-channelP-channel

V=12V,I=5A

DSD

RDS(ON)32mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)42mΩ@VGS=2.5V

RDS(ON)80mΩ@VGS=1.8V

●P-Channel

V=-12V,I=-5A

DSD

RDS(ON)74mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)110mΩ@VGS=-2.5VPinassignment

RDS(ON)220mΩ@VGS=-1.8V

●LoadSwitchforPortableDevices

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

1205NCE1205DFN2X2-6L---

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

A

ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit

Drain-SourceVoltageVDS12-12V

Gate-SourceVoltageVGS±12±12V

T=25℃5-5

A

ContinuousDrainCurrent

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