《 碘化铟化合物单晶的半导体性能计算及多晶合成》范文.docxVIP

《碘化铟化合物单晶的半导体性能计算及多晶合成》篇一

摘要

本论文研究了碘化铟化合物单晶的半导体性能，包括能带结构、电子输运性质和光电器件性能等方面的计算分析，同时对碘化铟多晶的合成方法进行了探索。通过理论计算与实验相结合的方式，为碘化铟在半导体领域的应用提供了理论依据和实验支持。

一、引言

碘化铟（InI3）作为一种新型的半导体材料，因其独特的物理和化学性质，在光电器件、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。研究其单晶和多晶的合成及其半导体性能，对于拓展其应用领域具有重要意义。

二、碘化铟单晶的半导体性能计算

（一）计算方法与理论框架

本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，通过使用VA