NCE75ED65VT深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE75ED65VT

650V75ATrenchFSGen.7IGBT

GeneralDescription

UsingNCEsproprietaryhighdensitytrenchgatedesignandadvancedFS

(FieldStop)Gen.7technology,the650VTrenchFSGen.7IGBTofferssuperior

conductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperation.

Features

TrenchfieldstopGen.7TechnologyOffering

Lowsaturationvoltage:VCEsat1.45V(Typ.)@IC75A

Highspeedswitching,lowswitchinglosses

MaximumjunctiontemperatureTvjmax175C

Tightenparameterdistribution

Highruggedness,temperaturestablebehavior

Pb-freeleadplating;RoHScompliant

Schematicdiagram

Application

PVpower

Three-levelSolarStringInverter

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceDevicePackageDeviceMarking

NCE75ED65VTTO-247-3LNCE75ED65VT

TO-247-3L

AbsoluteMaximumRatings(T25°Cunlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnits

VCESCollector-EmitterVoltage650V

VGESGate-EmitterVoltage±30V

CollectorCurrent150A

CollectorCurrent@TC100°C

该用户很懒，什么也没介绍

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