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第七章金属和半导体的接触
金属—半导体接触指由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称M-S接触。
主要的金属与半导体接触类型：
1、单向导电性的整流接触
2、欧姆接触
§7.1M-S接触的势垒模型
一、功函数和电子亲和能E
0
要使一个电子能够逸出金属表面（即能够达到以上的能级），需要给予电
E
0χWS
子的能量最少应为，称为金属的功函数或逸出功。
W=E−EW
m0Fmm
E
半导体的功函数为W=E−EEC
S0FSn
E
半导体的电子亲和势为χ=E−E，表示要使半导体导带底的电子逸出体外Fs
0C
所需要的最小能量。此时半导体的功函数又可以表示为：E
V
W=χ+E−E=χ+E。
S[CFS]n
E
二、理想的M-S接触的势垒模型0
W
假设：m
①在半导体表面不存在表面态；E
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