NCE100ED65BT深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE100ED65BT

650V100ATrenchFSGen.7IGBT

GeneralDescription

UsingNCEsproprietaryhighdensitytrenchgatedesignandadvancedFS

(FieldStop)Gen.7technology,the650VTrenchFSGen.7IGBTofferssuperior

conductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperation.

Features

TrenchfieldstopGen.7TechnologyOffering

Lowsaturationvoltage:VCEsat1.50V(Typ.)@IC100A

Highspeedswitching,lowswitchinglosses

MaximumjunctiontemperatureTvjmax175C

Tightenparameterdistribution

Highruggedness,temperaturestablebehavior

Pb-freeleadplating;RoHScompliantSchematicdiagram

Application

PVpower

Three-levelSolarStringInverter

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceDevicePackageDeviceMarking

NCE100ED65BTTO-247-3LNCE100ED65BT

TO-247-3L

AbsoluteMaximumRatings(T25°Cunlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnits

VCESCollector-EmitterVoltage650V

VGESGate-EmitterVoltage±30V

CollectorCurrent200A

CollectorCurrent@TC100°C100

该用户很懒，什么也没介绍

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