模拟电子技术基础：第三章 半导体三极管及放大电路.ppt

第三章半导体三极管及放大电路

模拟电子技术——电子技术基础精品课程

本章主要内容

1.介绍半导体的基本知识；

2.半导体器件的核心环节——PN结的形成

及其特性；

3.简介半导体二极管的结构及主要参数；

4.半导体二极管的几种常用等效电路及其

应用；

5.简介几种特殊二极管（除“稳压管”外

均作为一般了解内容）

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本章主要内容

1.半导体三极管（BJT）的结构、工作原理、特

性曲线和主要参数；

2.共射极放大电路的结构、工作原理和改进电

路；

3.放大电路的两种分析方法

①图解法→求Q点

（IBQ、ICQ、VCEQ）

②小信号模型分析法

→求AV、Ri、RO

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本章主要内容

4.放大电路工作点稳定问题及常用稳定工作点

的电路；

5.介绍共基极放大电路和共集电极放大电路，

并将三种组态的放大电路进行比较；

6.放大电路的频率响应（这部分内容推导过程

不要求必须掌握，记住最终结果会求fH和fL即

可）

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3.1半导体BJT

Ø半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作

时，多数载流子和少数载流子都参与运行，

因此，还被称为双极结型晶体管（Bipolar

JunctionTransistor，简称BJT）。

ØBJT是由两个PN结组成的。

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一.BJT的结构简介

•【分类】

高频管硅管

①按频率分③按半导

体材料分

低频管锗管

大功率管NPN型

②按功率分④按结构

中功率管

不同分

小功率管PNP型

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1.NPN型

集电极

c【Collector】

代表符号:

N集电区

集电结（Jc）

bP基区

基极

N发射区

【Base】发射结（Je）

e【Emitter】箭头方向：由P区→N

发射极区

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2.PNP型

集电极

c箭头方向：由P区→N

区

代表符号:

P集电区

集电结（Jc）

bN基区

基极

P发射区

发射结（Je）