课程主题二极管的伏安特性电子技术与实践课程.pptx

电子技术与实践课程现代殡葬技术与管理专业群教学资源库主讲人：方跃春课程主题：二极管的伏安特性

CONTENTS一、二极管的伏安特性三、半导体二极管的主要参数二、几种常见二极管的伏安特性四、伏安特性与应用

一、二极管的伏安特性正向特性测量电路反向特性测量电路流过二极管的电流与二极管两端偏置电压之间的关系。二极管的伏安特性

一、二极管的伏安特性UBRI(mA)U(V)O当正向电压小于U1时，二极管不导通，电流为0，称正向截止区。当二极管所加的反向电压小于UBR时，反向电流IR很小，称反向截止区。当反向电压达到UBR时，二极管被击穿，反向电流可以从几毫安增大到几十毫安，称反向击穿区。U1称开启电压，又称死区电压硅管约0.5V，锗管约0.1VU2称正向导通电压，正向导通电流达1mA以上的电压，硅管约0.7V，锗管约0.3VU1U2当正向电压大于U1时，二极管导通，电流随电压升高而快速增大，称正向导通区。

一、二极管的伏安特性三个关键电压开启电压（死区电压）U1：硅管约0.5V，锗管约0.1V正向导通电压U2：硅管约0.7V，锗管约0.3V反向击穿电压UBR四个工作区间正向偏置电压小于U1时，二极管正向截止区，电流为0正向偏置电压大于U1时，二极管正向导通区，电压变化很小但电流有较大变化范围反向偏置电压小于UBR时，二极管反向截止区，电流为0反向偏置电压大于UBR时，二极管反向击穿区，电压变化非常小但电流变化范围大UBRI(mA)U(V)OU1U2

UBRI(mA)U(V)OU1U2截止区是量变正向导通、反向击穿是质变量变到质变是自然规律，二极管从截止区到正向导通区或反向击穿区是从量变到质变的过程！“你要悄悄拔尖，然后惊艳所有人”---一个人成功前都有一段默默无闻的奋斗时期，悄悄拔尖，会惊艳所有人！

二、几种常见二极管的伏安特性硅管与锗管的伏安特性曲线不同温度下的伏安特性曲线稳压二极管的伏安特性曲线

三、半导体二极管的主要参数指二极管长期工作，允许通过的最大正向平均电流值。正向电流值不允许超过该值，不然会过热而损坏。最大整流电流IFM指二极管在常温(25℃)和最高反向工作电压URM作用下的反向电流。IRM越小，管子的单向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系。最大反向电流IRM指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，URM一般取反向击穿电压的1/2~1/3，以确保二极管使用安全。最高反向工作电压URM指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。PN结电容越小，频率越高。最大工作频率fM

四、伏安特性与应用当反向电压高于反向击穿电压UBR时，二极管反向电流会突然大幅度增加，二极管不再具备单向导电性。因此，二极管做开关、整流、滤波等作用时，反向电压不能超过最高反向电压！UBRI(mA)U(V)OU1U2

四、伏安特性与应用不同温度下的伏安特性曲线当温度T（0C）升高时，正向特性曲线向左移！反向特性曲线向下移。实验表明：温度每升高100C，反向饱和电流升高1倍！

四、伏安特性与应用伏安特性曲线是非线性的（非直线），也就是在不同点其斜率不同。因此，在不同工作电流状态下，其电阻不同，在应用中要注意这一点。UBRI(mA)U(V)OU1U2

感谢聆听，批评指导