《 半导体异质结中的电子迁移率及其压力效应》范文.docx

《半导体异质结中的电子迁移率及其压力效应》篇一

一、引言

随着半导体科技的不断发展，异质结在半导体器件中扮演着重要的角色。异质结指的是由两种不同带隙能量的半导体材料形成的界面结构，其具有优异的电子性能和光学性能。其中，电子迁移率作为衡量半导体材料导电性能的重要参数，一直是科研工作者关注的焦点。此外，压力对半导体异质结中电子迁移率的影响也不容忽视。本文将重点探讨半导体异质结中的电子迁移率及其压力效应。

二、半导体异质结中的电子迁移率

1.电子迁移率的定义与影响因素

电子迁移率是指电子在单位电场作用下，单位时间内通过单位面积的电子数量。它受到材料本身的能带结构、杂质浓度、温度等多种因素的影响。在