体硅平面MOS晶体管的热载流子效应研究.docx

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题目：体硅平面MOS晶体管的热载流子效应研究

摘要

由于科技的进步推动半导体产业的快速发展。又由于在摩尔定律的促使下把器件特征的尺寸也变得越来越小，能够使得晶体管放置到集成电路上的数量大概每过两年就会翻一番。可是，可靠性问题也随之而来，它严重的影响到了器件和电路的寿命。因此，热载流子效应的存在对器件的影响的研究也变得越来越有必要。为了研究MOS晶体管的热载流子效应，研究的关键点是对于MOS纳米级尺寸器件的作用机理。

本文介绍了工业界里面经典热载流子模型“幸运电子模型”。同时又使用了Sentaurus-TCAD软件仿真了65nmNMOS器件热载流子效