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模拟电子技术基础(第四版)答案--第1页

第一章

半导体基础知识

自测题

一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×

二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC

三、U≈1.3VU＝0U≈－1.3VU≈2VU≈2.3VU≈－2V

O1O2O3O4O5O6

四、U＝6VU＝5V

O1O2

五、根据P＝200mW可得：U＝40V时I＝5mA，U＝30V时I≈6.67mA，U

CMCECCECCE

＝20V时I＝10mA，U＝10V时I＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图

CCEC

略。

六、1、

VU

IBBBE26μA

BR

b



II2.6mA

CB

UVIR2V

CECCCC

U＝U＝2V。

OCE

2、临界饱和时U＝U＝0.7V，所以

CESBE

VU

ICCCES2.86mA

CR

c

I

IC28.6μA

B



VU

RBBBE45.4k

bI

B

七、T：恒流区；T：夹断区；T：可变电阻区。

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习题

ui/V

10