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摘要
摘要
作为新兴的离子型直接带隙半导体材料，金属卤化物钙钛矿具有优异的光
电性质，如载流子迁移率高、发光色域广、色纯度高、可溶液加工、易大面积
制备和成本低廉等特点，它兼具了无机和有机半导体材料性能及制备的优点。
因此，金属卤化物钙钛矿被认为是实现低成本、高亮度、大面积和可柔性化的
下一代发光与显示技术的理想材料，发展潜力巨大。
最近几年来，通过科研人员们的不懈努力，钙钛矿发光二极管(PeLED)器
件的性能取得了显著提高。其关键指标、外量子效
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