集成电路的非挥发性记忆体技术考核试卷.docx

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集成电路的非挥发性记忆体技术考核试卷

考生姓名:__________答题日期:__________得分:__________判卷人:__________

一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)

1.非挥发性记忆体主要用于存储什么类型的数据?()

A.临时数据

B.永久性数据

C.处理器指令

D.系统缓存

2.以下哪种类型的非挥发性记忆体具有最高的存储密度?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.DRAM

3.集成电路中,非挥发性记忆体的主要特点是什么?()

A.断电后数据消失

B.断电后数据保持

C.写入速度慢

D.读取速度慢

4.下列哪种非挥发性记忆体技术属于浮栅型?()

A.SRAM

B.EEPROM

C.DRAM

D.FeRAM

5.以下哪项不是NAND型闪存的优点?()

A.存储密度高

B.写入速度快

C.读取速度快

D.成本低

6.下列哪种非挥发性记忆体技术具有较快的读写速度?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.SRAM

7.在非挥发性记忆体中,浮栅型EEPROM的工作原理是什么?()

A.利用热电子注入

B.利用隧道效应

C.利用电荷泵

D.利用磁效应

8.以下哪种非挥发性记忆体技术的功耗最低?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.FeRAM

9.下列哪种非挥发性记忆体技术具有最高的耐久性?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.MRAM

10.以下哪个参数描述了非挥发性记忆体的可靠性?()

A.读写速度

B.耐久性

C.存储密度

D.功耗

11.下列哪种非挥发性记忆体技术可以应用于太空等极端环境?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.MRAM

12.以下哪个因素会影响非挥发性记忆体的可靠性?()

A.温度

B.电压

C.频率

D.以上皆是

13.下列哪种非挥发性记忆体技术属于新型存储技术?()

A.SRAM

B.EEPROM

C.ReRAM

D.DRAM

14.以下哪个术语表示非挥发性记忆体的写入次数限制?()

A.读写速度

B.耐久性

C.存储容量

D.功耗

15.以下哪种非挥发性记忆体技术具有较低的成本?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.MRAM

16.下列哪种非挥发性记忆体技术具有最小的体积?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.FeRAM

17.以下哪个因素会影响非挥发性记忆体的写入速度?()

A.温度

B.电压

C.存储密度

D.读写周期

18.下列哪种非挥发性记忆体技术适用于低功耗应用场景?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.ReRAM

19.以下哪个术语表示非挥发性记忆体的数据保持能力?()

A.读写速度

B.耐久性

C.数据保持时间

D.功耗

20.以下哪个参数描述了非挥发性记忆体的数据传输速度?()

A.读写速度

B.耐久性

C.存储容量

D.功耗

二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)

1.非挥发性记忆体包括以下哪些类型?()

A.闪存

B.EEPROM

C.DRAM

D.FeRAM

2.以下哪些因素会影响非挥发性记忆体的性能?()

A.电压

B.温度

C.读写速度

D.存储密度

3.NAND型闪存的优点包括以下哪些?()

A.存储密度高

B.写入速度快

C.读取速度快

D.成本低

4.NOR型闪存适用于以下哪些应用场景?()

A.数据存储

B.系统启动

C.代码执行

D.数据缓存

5.以下哪些技术被认为是新型非挥发性记忆体技术?()

A.MRAM

B.ReRAM

C.EEPROM

D.FeRAM

6.非挥发性记忆体的耐久性受到以下哪些因素的影响?()

A.写入次数

B.数据保持时间

C.读写周期

D.存储容量

7.以下哪些技术属于浮栅型非挥发性记忆体?()

A.NOR型闪存

B.NAND型闪存

C.EEPROM

D.SRAM

8.非挥发性记忆体的可靠性指标包括以下哪些?()

A.数据保持能力

B.耐久性

C.功耗

D.读写速度

9.以下哪些非挥发性记忆体技术在断电后可以保持数据?()

A.S

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