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一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计--第1页

Vol.29No.2

第圆9卷第2期天津工业大学学报

圆园10年4月允韵哉砸晕粤蕴韵云栽陨粤晕允陨晕孕韵蕴再栽耘悦匀晕陨悦哉晕陨灾耘砸杂陨栽再April2010

一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

刘军儒，牛萍娟，高铁成

（天津工业大学信息与通信工程学院，天津300160）

并在

摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，

在

TSMC0.18滋mCMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：-25耀115益温度范围内电路的温

漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为

0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.

关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数

中图分类号：TN710.2曰TN86文献标志码：A文章编号：员远苑员原园圆源载（圆园10）园2原园园60原园3

DesignofhighPSRRbandgapvoltagereference

LIUJun-ru，NIUPing-juan，GAOTie-cheng

（SchoolofInformationandCommunicationEngineering，TianjinPolytechnicUniversity，Tianjin300160，China）

Abstract：Abandgapvoltagereferencecircuitisdesignedwhichhashighpowersupplyrejectionratio（PSRR）andlow

temperaturecoefficient.Inthedesign，thewholebandgapcircuithashighPSRRthroughusingFoldedCas原

codeOperationalAmplifierasthenextstage.BasedontheTSMC0.18滋mCMOSmodel，thesimulationre原

sultsusingHSPICEshowthatthetemperaturecoefficientofthecircuitis9.69伊10/益betweenthetempera原

-6

turerangeof-25-115益andthePSRRis-100dB.ThebandgapoutputvoltageVswingis0.2mVwhen

ref

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