CMW60R110DFD深圳恒锐丰科技.pdf

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2024-10-20 发布于广东
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CMW60R110DFD深圳恒锐丰科技.pdf

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CMW60R110DFD

600VSJMOS

MOSFETSiliconN-ChannelMOS

1Description

Features

⚫Ultra-fastbodydiode

⚫Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.101Ω(typ.)

⚫Easytodrive

⚫Pb-freeplating,HalogenfreemoldcompoundandmeetRoHSrequirement

Applications

⚫ForSoftSwitchingBoostPFCswitch,HBorAHBorLLChalfbridgeandfullbridge

topologies.

⚫Suchasphase-shift-bridge(ZVS),LLCApplication-ServerPower,TelecomPower,EV

Charging,Solarinverter.

Table1KeyPerformanceParameters

ParameterValueUnit

VDS@Tj,max650V

RDS(on),max110mΩ

Qg,typ53nC

ID,pulse90A

Bodydiodedv/dt50V/ns

PackagingandInternalCircuit

PartNamePackageMarkingPackingMethodQTY/BOX

CMW60R110DFDTO-247CMW60R110DFDTube1200PCS

Rev1.0ShenzhenICMMicroelectronicsCo.Ltd.1/10

CMW60R110DFD

2Maximumratings

atTj=25°C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings

ParameterSymbolValueUnitNote/TestCondition

Min.Typ

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