材料科学软件:VASP二次开发_VASP输入文件的结构与编写.docx

材料科学软件:VASP二次开发_VASP输入文件的结构与编写.docx

  1. 1、本文档共17页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

PAGE1

PAGE1

VASP输入文件的结构与编写

在材料科学计算中,VASP(ViennaAbinitioSimulationPackage)是一款广泛应用的密度泛函理论(DFT)计算软件。它能够进行电子结构计算、分子动力学模拟、声子谱计算等多种任务。为了有效地使用VASP进行计算,了解其输入文件的结构和编写方法是非常重要的。本节将详细介绍VASP的主要输入文件及其编写方法,并通过具体例子进行说明。

1.VASP的主要输入文件

VASP的主要输入文件包括以下几个:

INCAR:控制计算参数的文件。

KPOINTS:设置k点网格的文件。

POSCAR:描述晶格结构和原子位置的文件。

POTCAR:描述赝势的文件。

CONTCAR:用于继续先前计算的文件,通常包含优化后的晶格结构和原子位置。

1.1INCAR文件

INCAR文件是VASP中最重要的输入文件之一,它包含了控制计算的参数。这些参数决定了计算的类型、精度以及收敛标准等。以下是一些常用的参数:

ISTART:控制计算的类型。0表示从头开始计算,1表示从WAVECAR文件中读取波函数继续计算。

ICHARG:控制电荷密度的读取和生成方式。0表示从头开始生成电荷密度,2表示从CHGCAR文件中读取电荷密度。

SYSTEM:描述计算系统的名称,可选参数。

PREC:设置计算精度。可以是“Low”、“Medium”、“High”或“Normal”。

EDIFF:设置电子自洽循环的收敛标准。

EDIFFG:设置离子弛豫的收敛标准。

NELM:设置电子自洽循环的最大步数。

IBRION:控制离子的运动方式。0表示不运动,1表示分子动力学,2表示离子弛豫。

ISIF:控制优化的自由度。2表示优化离子位置,3表示优化离子位置和晶格参数。

NSW:设置离子弛豫的最大步数。

ISPIN:控制自旋极化计算。1表示非自旋极化,2表示自旋极化。

LORBIT:设置自旋轨道耦合计算。11表示输出详细的投影态密度(PDOS)。

LWAVE:控制是否输出波函数文件WAVECAR。TRUE表示输出,FALSE表示不输出。

LCHARG:控制是否输出电荷密度文件CHGCAR。TRUE表示输出,FALSE表示不输出。

1.2KPOINTS文件

KPOINTS文件用于设置k点网格,这是进行周期性系统DFT计算所必需的。k点网格的选择对计算结果的精度和计算时间有重要影响。以下是一些常见的KPOINTS文件格式:

自动生成k点网格:

K-Points

0

Gamma

444

0.00.00.0

其中,第一行是文件标题,可选;第二行是0,表示自动生成k点网格;第三行是“Gamma”,表示k点网格包含Gamma点;第四行是k点网格的密度,这里设置为4x4x4;第五行是k点权重,这里设置为0.00.00.0。

手动生成k点路径:

K-Points

3

Line

0.00.00.01

0.50.50.51

10

其中,第一行是文件标题,可选;第二行是3,表示手动生成k点路径;第三行是“Line”,表示沿路径生成k点;第四行和第五行是路径的起始和结束点,第六行是路径上的k点数量。

1.3POSCAR文件

POSCAR文件用于描述晶格结构和原子位置。它通常包含以下几个部分:

标题:描述计算系统的名称,可选。

缩放因子:用于缩放晶格参数。

晶格参数:描述晶格的三个基矢。

原子种类:列出系统中包含的原子种类。

原子数目:列出每种原子的数量。

坐标类型:可以是Direct或Cartesian,分别表示原子坐标是分数坐标还是笛卡尔坐标。

原子坐标:列出每个原子的具体坐标。

以下是一个POSCAR文件的例子:

SiC

1.0

3.84019793370.00000000000.0000000000

1.92009896683.32569565160.0000000000

0.00000000000.00000000005.4262473753

SiC

11

Direct

0.00000000.00000000.0000000

0.33333330.66666660.2500000

标题:SiC

缩放因子:1.0

晶格参数:3.84019793370.00000000000.0000000000,1.92009896683.32569565160.0000000000,0.00000000000.00000000005.4262473753

原子种类:SiC

原子数目:11

坐标类型:Direct

原子坐标:0.00000000.00000000.0000000,0.33333330.66666660.2500000

1.4

文档评论(0)

找工业软件教程找老陈 + 关注
实名认证
服务提供商

寻找教程;翻译教程;题库提供;教程发布;计算机技术答疑;行业分析报告提供;

1亿VIP精品文档

相关文档