CMS028H10G深圳恒锐丰科技.pdf

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CMS028H10G

100VN-ChannelSGT

Description

Features

◼SGTLVMOSFETtechnologyVDS100V

◼ExcellentQg*Ronproduct(FOM)Rds(on),typ@Vgs=10V2.4mΩ

◼Extremelylowon-resistance(Ron)

ID180A

Application

◼Batterymanagement

◼Highcurrentswitching

◼UPS

TopViewBottomViewPinConfiguration

PackageMarkingandOrderingInformation

Tape

PartMarkingPackagePackingReelSizeQty

Width

CMS028H10GS028H10GTO-263ReelNANA800pcs

KeyPerformanceParameters

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@Tc=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS=10V180A

ID@Tc=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS=10V135A

IDMPulsedDrainCurrent720A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1120mJ

PD@Tc=25℃

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