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2013年天津工业大学《无机非金属材料》复试复习提纲

第一篇：2013年天津工业大学《无机非金属材料》复试复习提纲

2013年《无机非金属材料》复试复习提纲

1.掌握晶体的基本概念。七大晶系的晶胞参数特点。晶型转变的

类

型。晶面间距的计算。配位数与离子半径比的证明。

2.相变的基本概念、分类

3.掌握材料中缺陷的概念及分类，重点掌握缺陷的定义、分类、

特

点并了解点缺陷反应方程式的书写原则、4.无机材料的分析方法，

重点了解组成、结构的分析检测技术。

5.掌握固溶体的基本概念，固溶体的分类，影响固溶体形成主要

因

素。

6.了解几种无机粉体材料的制备方法及特点。

2013年的笔试复试题就是从上面的题目中随机出题，但是都不难。

主要的题型有：

1、判断对错（6道）

2、填空题（8个空）

3、一道综合题或者证明题4一道简答题

第二篇：无机非金属

姓名：王丽丝学号：123111008专业：材料物理与化学

纳米银/聚酰亚胺复合材料

电子封装技术的发展对嵌入式电容器材料不断提出新的要求。当

前，高性能嵌入式电容器迫切需要拥有高介电常数、低介电损耗、与

电路基板具有良好的粘结力以及良好加工性等综合性能的介电材料。

然而，目前没有任何材料能够全部满足这些要求。银纳米粒子具有优

异的导电率和奇特的纳米特性（即库仑阻塞效应），是制备金属/聚合

物高介电复合材料的理想填料。聚酰亚胺作为高聚物基体则具有优异

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的热稳定性、低介电损耗和易合成加工性等优点。银/聚酰亚胺纳米复

合材料可望将银纳米粒子的介电性能与聚酰亚胺的力学、热学性能很

好的结合起来。因此，探索制备Ag/PI纳米复合材料的新方法是很有

意义的。

高介电材料是一种能够储存电荷和均匀电场的绝缘材料，其在电

子、电气工业领域有着非常重要的应用。随着电子工业中对电子器件

高速化、微型化和稳定性要求的不断提高，电子封装技术从第一代分

立元件封装、第二代芯片级封装（ChipScalePackaging）和多芯片

模块封装（Multichip-Module）发展到第三代的系统封装（System-

on-Packaging）[1,2]，每次技术换代都对材料研究提出新的挑战。

当前，易加工的高性能嵌入式电容器需要采用拥有高介电常数、低介

电损耗、高介电强度和与电路基板良好的粘结力等综合性能的薄膜材

料，是该领域最迫切需要解决的难题之一。许多传统的单一高介电材

料，比如铁电陶瓷材料，因为加工过程中需要高温烧结，耗能大且工

艺复杂，再加上其与电路基板之间差的粘结性能，已不能满足此要求。

而聚合物基复合材料，因为能够结合聚合物的易加工性、与基板良好

的粘结性以及填料的高介电性能两方面的优点，自然成为人们的首选

研究对象[3-5]。另外，这种轻质、易加工和高性能的高介电材料在其

他先进电子、电气设备中也有许多应用，比如储能器、微驱动器、传

感器、电磁屏蔽设备和电缆接头等[6-10]。因此，对既有优异的介电

性能又有良好加工性能的聚合物基高介电纳米复合材料的研究，是一

个很有意义的课题。银纳米粒子的制备方法

近年来,纳米银制备技术迅速发展,方法多种多样。总的来说有化学

法、物理法和生物