《电工电子技术基础》第六章 半导体二极管与三极管 自测题及答案.docVIP

PAGE

PAGE18

第六章半导体二极管与三极管

自测题

一、判断题

1.稳压管在正常工作时，处于反向击穿状态。

2.二极管的单向导电性是指正向导通，反向截止特性。

3.对于NPN型硅管放大电路处于饱和区时发射结和集电结均正偏。

4.P型半导体的少数载流子是自由电子。

5.稳压管在正常工作时，处于正向导通状态。

6.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

7.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

9.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

10.对纯净半导体掺入主杂质，便可制成P型或N型半导体。

11.三极管处于放大状态时，发射结处于正偏，集电结处于反偏。

12.P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素原子。

13.N型半导体的少数载流子是自由电子。

14.P型半导体是掺入5价元素的杂质。

15.P型半导体的多数载流子是空穴

二、填空题

1.图示为晶体管的输出特性曲线，曲线中近似水平部分为晶体管工作的（）区，底部阴影部分为（）区，左侧阴影部分为（）区。

2.在硅晶体中掺入（）价元素成为P型半导体，其中少数载流子为（）。

3.晶体管的三种工作状态分别为：（）、（）、（）。

4.N型半导体的少数载流子为（）。

5.PN结的单向导电性是指（）。

6.P型半导体是在本征半导体里掺入了（）价元素，多数载流子是（），少数载流子是（）。

三、选择题

1.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A.变窄B.基本不变C.变宽

2.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。

A.ISeUB.C.

3.稳压管的稳压区是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

4.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

5.在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

6.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A.增大B.不变C.减小

7.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A.83B.91C.100

8.放大电路中测得某晶体管三个极的电位分别为9V，4V，3.4V，则这三个极分别为（）。

AC，B，EBC，E，BCE，C，BDB，E，C

9.在硅晶体中掺入（）价元素成为N型半导体，其中多数载流子为（）。

(A)三；自由电子(B)三；空穴

(C)五；自由电子(D)五；空穴

10.在硅晶体中掺入价元素成为P型半导体，其中多数载流子为（）。

A.五；自由电子B.五；空穴C.三；自由电子D.三；空穴

11.双极型晶体管的三个极分别为：b、c、e（）。

A.基极、发射极、集电极B.集电极、基极、发射极

C.基极、集电极、发射极D.集电极、发射极、基极

12.图示为晶体管的（）特性曲线。

反向B.输出C.基极D.输入

晶体管的主要参数中叫做（）。

直流电流放大倍数B.交流电流放大倍数C.直流电压放大倍数

交流电压放大倍数

在硅晶体中掺入()价元素成为N型半导体，其中少数载流子为（）。

五；自由电子B.五；空穴C.三；自由电子D.三；空穴

双极型晶体管的电极e叫做（）。

基极B.集电极C.发射极D.耦合极

双极型晶体管的电极c叫做（）。

基极B.集电极C.发射极D.耦合极

四、计算题

1.写出图示电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

【解】UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1