《电力电子技术》总复习（含答案）.docVIP

总复习

一、单选题（共196题，39.2分）

1、晶闸管内部PN结有()

A、一个

B、两个

C、三个

D、四个

正确答案：C

2、晶闸管在电路中的门极正向偏压()

A、越大越好

B、越小越好

C、不变越好

D、越稳定越好

正确答案：D

3、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A、有效值

B、最大值

C、平均值

D、瞬时值

正确答案：C

4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()电极。

A、一个

B、两个

C、三个

D、四个

正确答案：C

5、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A、IGBT

B、MOSFET

C、GTR

D、GTO

正确答案：B

6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。

A、IGBT

B、GTR

C、MOSFET

D、GTO

正确答案：D

7、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是()。

A、IGBT

B、MOSFET

C、GTR

D、GTO

正确答案：A

8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。

A、IGBT

B、MOSFET

C、GTR

D、GTO

正确答案：A

9、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。

A、IPM

B、MOSFET

C、ICBT

D、GTO

正确答案：D

10、逆变电路输出频率较高时,电路的开关元件采用()。

A、晶闸管

B、单结晶体管

C、电力晶体管

D、绝缘珊

正确答案：D

11、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。

A、直流

B、低频

C、中频

D、高频

正确答案：D

12、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()。

A、在栅极加正电压

B、在集电极加正电压

C、在栅极加负电压

D、在集电极加负电压

正确答案：A

13、晶闸管的开关频率()电力场效应管。

A、稍高于

B、低于

C、远高于

D、等于

正确答案：B

14、如果晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,

则该晶闸管的额定电压为()。

A、700V

B、750V

C、800V

D、900V

正确答案：A

15、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单。

A、普通晶闸管

B、可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、功率场效应管

正确答案：D

16、单相半波可控整流电路,若负载平均电流为10mA,则实际通过晶闸管的平均

电流为()mA。

A、5

B、0

C、10

D、20

正确答案：C

17、二极管两端加上正向电压时()。

A、一定导通

B、超过门槛电压才导通

C、超过0.3V才导通

D、超过0.7V才导通

正确答案：B

18、在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()。

2

A、IdRd

2

B、IRd

C、UId

D、U2Id

正确答案：B

19、在单相桥式半控整流电路,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流IT=()

A、I

B、0.5I

C、(1/√2)I

D、√2I

正确答案：C

20、三相半波可控整流电路,电阻性负载,当控制角为()时,整流输出电压与电

流波形断续。

A、0°α≤30°

B、30°α≤150°

C、60°α180°

D、90°α180°

正确答案：B

解析：

21、三相桥式全控整流电路,大电感负载,当控制角为()时整流平均电压Ud=0。

A、30°

B、60°

C、90°

D、120°

正确答案：C

22、三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()

A、0°~180°

B、0°~150°

C、0°~120°

D、0°~90°

正确答案：C

23、在三相全控桥整流电路断续时的