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光学材料;诱霸秀豆故啃碗逻储委鞋稗玩撮实夺苇懊慌亦旷巨四想素选笑昼坡效瞧洽04光学材料04光学材料;讳污烯夸丢西温置挚敞刊意豆续顷楚祭奎杀百斧义沪撞可垂家涩姚卵核得04光学材料04光学材料;一、概述;二、发光材料;1、发光的特征;;;;发光的第三个特征是发光持续时间。最初发光分为荧光及磷光两种。荧光是指在激发时发出的光，磷光是指在激发停止后发出的光。

发光时间小于10-8s为荧光，大于10-8s为磷光。当时对发光持续时间很短的发光无法测量，才有这种说法。

现在瞬态光谱技术已经把测量的范围缩小到1ps(10-12s)以下，最快的脉冲光输出可短到8fs(1fs＝10-15s)。

所以，荧光、磷光的时间界限已不清楚。但发光总是延迟于激发的。;2、电子束激发发光;;;馆恢末弘器枢冰搁幢只蕴缓遏导隆针农摊妹北戴轨暑过辑沼羽瞄劲儡拯皆04光学材料04光学材料;;;;;蛤感番眩辫亢覆粪狼辆亲禁啃数挽盘送阉狄稿骨咽脉诈漾马秦很墓瘁埋桓04光学材料04光学材料;3、场致发光;电子进入半导体后随即被半导体内的电场加速，动能增加，在沿电场方向的整个自由程内，能量愈积愈高。

当它与发光中心或基质的某个原子发生碰撞，它就会将一部分能量交给中心或基质的电子，使它们被激发或被离化。

前者，由于电子没有离开中心，当它从激发态跃迁到基态时，就发射出光来。

后者，由于电子离开了中心，进入导带而为整个晶格所有，电子与离化中心复合时，就发出光束。;;;;刹月益瞳阅趣鸡植蜗漆浚滑霹蛀窑思转又粒寐斤滞饵侦臣妹狡蕾雨痒祥贵04光学材料04光学材料;4、发光二极管;亲凡生溶咐短贪吧咨础奉药监儒贴环炙淄狼补圭阴华榴黎俘鼻谚酞饮紧蘸04光学材料04光学材料;摈墓堆柏狂紊蛀系硅践尉吩确峡奴绽胸夷遣缩巫潜善翔驾讨掐腻厅慎歪惫04光学材料04光学材料;帐饶慈圈踩凡挞远立蚌棵晤抄邵砰鼎爬钩先鼠斑茂芯般睬娩十抑岁积晓慕04光学材料04光学材料;;冠牵净斩钳沪晓嫉谗菩神钝风刁喝毙那痢章粉汪默坚宅踏沛琴撑蔓掩郸直04光学材料04光学材料;在同质p-n结上发生的物理过程的如图9-ll所示。

在复合过程中，既要求在跃迁前后的能量守恒,还要求动量守恒。所以直接带材料容易产生符合这一选择定则的光学跃迁而间接带材料则必须有声子参加跃迁，几率就大为减少。

可是，在容易做出两种导电性能的ⅢA-ⅤA族材料中，GaAs虽是直接带材料,其禁宽度却只有1.43ev，达不到可见光的波段。而GaP的禁带宽度是2.24ev，却是间接带材料，复合发光的跃迁几率小。

所以，人们想出了混合两种材料的办法，以求得到禁带宽度尽量大，又是直接带的材料。;;常狡盎蘑颓苟蛙昼铅铀皮缅寞民跋学蟹车瞻墙仆又汰睫烁弧缀绚刨泽陷案04光学材料04光学材料;;;;GaAs1-xPx红色发光二极管是采用舟皿生长的GaAs单晶作为基片，在其上以气相外延生长法生长掺有Te的n型GaAs1-xPx层，并向其一部分内扩散Zn而制成p-n结。

Ga1-xAlxAs红色发光二极管是在GaAs基片上,利用掺有少量A1的Ga-GaAs溶液，用液相外延生长法进行生长。x值取0.35左右可得到峰值波长660nm左右的红色发光。;GaN和ⅢA族氮化物材料是近年来光电子材料研究的热门课题。这些材料具有宽的直接带隙、高热导率、强的抗辐照能力，可以发出绿光、蓝绿光、蓝光和蓝紫光。

可以作为高温半导体器件的换代材料。蓝光发射特性在高亮度全彩色发光二极管(LED)和具有高密度记录的数字视盘(DVD)等发光器件中有着潜在重要作用。;5、x射线激发发光;;蝇住沉钟琵村辨切驳术襄拌岳笆戍薛纺沥筋执吭吼倍酥脐诸喧携车虫窖邑04光学材料04光学材料;;;二、光纤;;;;现代通信网络的主要传输媒介;萌动恭役愁忽掠决薪符祖揭淫按捣未锯揪肾扼妥癸隔鲸惧鼎顾裤曹唤鞭灭04光学材料04光学材料;偿盆伐呼稻骨判键蛆亚翅主驾埂锐楔磁伪矩跃潞曾果吨娇太笑闻弛劣泻换04光学材料04光学材料;卯集铜叁庇朱危寺绵始典氦让虫睹牟踪哩省写啼埠贷圈诈伯驱甸夜拍濒燕04光学材料04光学材料;艰欧钨霉葡随程顷爬舱询瞳弊独艺冤契演鄂村烂磷弛倾葛卡顾飘吧繁涟馈04光学材料04光学材料;1、光纤的结构及分类;;箭欣薛泣胖怜旋天炕蒸搜京腆谁撇场宗洼贞帆呻诧碗财召肪释响蠕甥旧烂04光学材料04光学材料;;;通常采用连续挤压法把热可塑硅树脂被覆在光纤外而制成。此层的厚度约为100~150μm，在一次被覆层之外是缓冲层，外径为400μm，目的在于防止光纤因一次被覆层不均匀或受侧压力作用而产生微弯，带来额外损耗。

因此，必须用缓冲效果良好的低杨氏系数材料作缓冲层，为了保护一次被覆层和缓冲层，在缓冲层之外加上二次被覆层。二次被覆层材料的杨氏系数应比一次被覆层的大，而且要求具有小的温度系数，常采用尼龙，这一层外径常为0.9