电控系统低成本创新关键技术实践 (1).pdf

1.电控系统成本挑战

电控系统直材成本构成/功率器件成本占比近一半

典型电控成本构成分布图

功率半导体是降低成本的关键突破口

不同电压平台典型功率半导体应用

系统电压峰值功率功率半导体功率半导体示例

150V/200Vmosfet

80~170Vdc20~50kW

（D2PAK、TO-220）

600VHP1

750VHPD

250~450Vdc60~150kW

650V分立IGBT

（TO-247）

1200VSiCmosfet

（HPD封装）

1200VSiCmosfet

400~800Vdc120~250kW

（TO-247P）

1200VSiCmosfet

（双面水冷）

汽车级模块电流规格少、产品封装有差异（SiIGBT）

采用模块优势：方便应用者使用，无须考虑细节设计

采用模块劣势：

1、寄生参数，如等效杂散电感较大，不利于输出电流能力提升

2、模块电流规格种类少，应用者可选型范围小

FS400R07A1E3FS820R08A6P2

M653

分立器件幵联功率扩展灵活，实现平台化，减少整车开发周期

阳光电控型号额定/峰值容量分立IGBTIGBT模块适用车型

EC30037/74kVA2管幵联650V400A1.5T/A00

EC30140/85kVA3管幵联650V400A2.0T/A00

EC30252/111kVA4管幵联650V660A2.5T/A0

EC30363/137kVA5管幵联650V660A3.5T/A

EC30478/167kVA6管幵联650V820A4.5T/A+

采用分立IGBT优势：

1、TO-247为传统标准封装，工艺成熟，应用广泛，规模化生产，

低成本；

2、易于并联应用，拓展整体电流输出能力，如3单元并联、4单

元并联、5单元并联、……；

3、便于结构灵活布置，控制器外形灵活设计，适配整车布置；

4、便于对称设计，减小杂散参数，改善EMC特性；

采用分立IGBT劣势：

1、对应用者提出较高要求，技术门槛高；

SiC器件优势

01.更高的效率，省电池，省电费

碳化硅控制器具有更高的能量转换效

率，在不同的应用工况下可使能耗降

低3%-6%