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集成电路设计基础实验报告
专业:电子信息工程
班级:
姓名:
学号:
电子与信息工程学院
1
实验一Tanner软件的安装和使用
一、实验目的
1.掌握Tanner的安装过程。
2.了解Tanner软件的组成及使用。
3.掌握使用S-Edit和T-Spice对nMOS管的I-V特性仿真的方法。
二、实验仪器
计算机一台。
三、实验内容
1.1tanner的安装
Tanner软件的安装是比较简单的,主要分为安装和安装license两部分。
第一步,双击安装文件夹……下的setup.exe文件,得到安装向导,
按默认选项,依次点击“下一步”,直至安装完成。
第二步,将….….文件夹下的所有文件复制到安装目录utilities
下,然后双击运行其中的crack.bat文件安装license,得到相应的界面,然后点击
“instance”,安装成功之后点击“exit”。至此,tanner就安装成功了。在桌面上就会看
到快捷方式,分别对应tannerpro软件的五个功能模块。
1.2nMOS管I-V特性
(1)打开S-Edit程序。(2)另存新文件。(3)环境设置。(4)编辑模块。(5)浏览元件
库。(6)从元件库引用模块。(7)编辑电路。(8)加入联机。(9)加入输入端口与输。
(10)模块重命名出端口。(11)加入工作电源。(12)加入输入信号。(13)编辑Source_v_dc
对象。(14)输出成SPICE文件。(15)加载包含文件。(16)分析设定。(17)输出设定。(18)
进行仿真。(19)观看结果。
四、实验结果
1.最终绘制出的电路图如下:
2
2.经过设定,最终完成的网表如下:
3.仿真结果曲线如下:
3
上图为N型MOS管的IV特性曲线,输入为栅源电压,单位为V;输出为漏电流,单位为mA。输入从0
到5V线性扫描,得到上图曲线。
五、思考题
1.此时M1的工作状态为饱和区,漏电流的表达式为:
2.分别采用另外两种不同的器件模型ml1_typ.md和ml5_20.md进行了仿真,仿真结果中漏电
流的变化趋势基本相同,但是数值有所差异。原因分析:模型文件中包括电容电阻系数等数
据,模型不同,相应数据也就不同,计算结果数值当然会有差异。
3.改变M1的宽长比后,同样,变化趋势基本相同,但是数值有所差异,且输出与宽长比的
数值呈现正比例关系。原因分析:漏电流的表达式中含有WL,及宽长比,所以宽长比的变化
必然会引起漏电流输出的变化。
实验二单级放大器性能仿真
一、实验目的
1、掌握电阻负载、带源极负反馈的共源级的性能仿真方法。
2、掌握源跟随器、共源共栅级的性能仿真方法。
二、实验内容及相应结果
2.1电阻负载的共源级
(1)画电路图。(2)加入电源电压和输入电压,其中电源电压为3V(将电源电压名为vvdd),
输入电压为1V(将输入电压改为vvin),电阻值为1K欧,晶体管的栅宽为100u,栅长为1u。
画完的电路图如下:
4
(3)生成spice文件,并且加入include命令、DCtransfersweep命令(vvin从0到3V扫描,
步长为0.02)、输出直流电压vout命令。
(4)仿真,结果如
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