2024年电子琴的实验报告.doc

单片机課程设计

设计題目电子琴

指导老师：苏

参与试验者：moxiaoxiao

专业：统本电信0801

地点：3#楼北楼605

电子琴

一.设计目的：

（1）.培养综合运用知识的能力

（2）.朋友查阅资料，使用工程设计原则及编写设计文档的能力.

（3）.掌握单片机应用系统的设计措施.

（4）.提高计算机绘图能力

二.设计任务：

运用DP51PROC试验系统上的定期器/计数器，按键和蜂鸣器单元。用单片机I/O口线控制蜂鸣器发出不一样的音调，程序检测按键状态，7个按键中某一键按下時，蜂鸣器对应标称音阶.

三.设计与调试环境

KEILuVision2是众多单片机应用开发软件中优秀的软件之一，它支持众多不一样企业的MCS51架构的芯片，它集编辑，编译，仿真等于一体，同步还支持，PLM，汇编和C語言的程序设计，它的界面和常用的微软VC++的界面相似，界面友好，易学易用，在调试程序，软件仿真方面也有很强大的功能。

1:按下面的环节建立一种项目：

图1－4选用芯片

图1－5新建程序文献

（1）点击图1－5中的3保留新建的程序，也可以用菜单File－Save或快捷键Ctrl+S进行保留。因是新文献因此保留時会弹出类似图1－3的文献操作窗口，我們把第一种程序命名為test1.c，保留在项目所在的目录中，这時程序单詞有了不一样的颜色，阐明KEIL的C語法检查生效了。如图1－6鼠标在屏幕左边的SourceGroup1文献夹图标上右击弹出菜单，在这里可以做项目中增長减少文献等操作。我們选“AddFiletoGroup‘SourceGroup1’”弹出文献窗口，选择刚刚保留的文献，按ADD按钮，关闭文献窗，程序文献已加到项目中了。这時在SourceGroup1文献夹图标左边出現了一种小+号阐明，文献组中有了文献，点击它可以展开查看。

图1－6把文献加入到项目文献组中

编译程序

(2)进入调试模式，软件窗口样式大体如图1－8所示。图中1為运行，当程序处在停止状态時才有效，2為停止，程序处在运行状态時才有效。3是复位，模拟芯片的复位，程序回到最开头处执行。按4我們可以打开5中的串行调试窗口，这个窗口我們可以看到从51芯片的串行口输入输出的字符，这项目也正是在这里看运行成果。

2.输入输出引脚

(1)P0端口[P0.0-P0.7]P0是一种8位漏极开路型双向I/O端口，端口置1（对端口写1）時作高阻抗输入端。作為输出口時能驱动8个TTL。对内部Flash程序存储器编程時，接受指令字节；校验程序時输出指令字节，规定外接上拉电阻。在访问外部程序和外部数据存储器時，P0口是分時转换的地址(低8位)/数据总线，访问期间内部的上拉电阻起作用。

(2)P1端口[P1.0－P1.7]P1是一种带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出時可驱动4个TTL。端口置1時，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存储器编程時，接受低8位地址信息。

(3)P2端口[P2.0－P2.7]P2是一种带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出時可驱动4个TTL。端口置1時，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存储器编程時，接受高8位地址和控制信息。在访问外部程序和16位外部数据存储器時，P2口送出高8位地址。而在访问8位地址的外部数据存储器時其引脚上的内容在此期间不会变化。

(4)P3端口[P3.0－P3.7]P2是一种带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出時可驱动4个TTL。端口置1時，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存储器编程時，接控制信息。除此之外P3端口还用于某些专门功能，详细請看表2－2.。

＊P1－3端口在做输入使用時，因内部有上接电阻，被外部拉低的引脚会输出一定的电流。

P3

引脚兼用功能

P3.0

串行通讯输入（RXD）

P3.1

串行通讯输出（TXD）

P3.2

外部中断0（

P3.3

外部中断1（INT1）

P3.4

定期器0

P3.5

定期器1

P3.6

外部数据存储器写选通WR

P3.7

外部数据存储器写选通RD

生成HEX文献和最小化系统

3:怎样用KEILuVision2来编译生成用于烧写芯片的HEX文献。HEX文献格式是Intel企业提出的按地址排列的数