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电子技术试題库

第一部份模拟电子

常用半导体器件

一、判断下列說法与否对的，用“√”和“×”表达判断成果填入空内。

（1）在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型為P型半导体。（）

（2）由于N型半导体的多子是自由电子，因此它带负电。（）

（3）PN結在无光照、无外加电压時，結电流為零。（）

（4）处在放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）

（5）結型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS不小于零，则其输入电阻会明显变小。（）

二、选择对的答案填入空内。

（1）PN結加正向电压時，空间电荷区将。

A.变窄B.基本不变C.变宽

（2）稳压管的稳压区是其工作在。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

（3）当晶体管工作在放大区時，发射結电压和集电結电压应為。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏

（4）UGS＝0V時，可以工作在恒流区的场效应管有。

A.結型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

（6）当温度升高時，二极管的反向饱和电流将。

A.增大B.不变C.减小

（7）工作在放大区的某三极管，假如当IB从12μA增大到22μA時，IC从1mA变為2mA，那么它的β约為。

A.83B.91C.100

（8）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变為4mA時，它的低频跨导gm将。

A.增大B.不变C.减小

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

图T1.3

四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各為多少伏。

图T1.4

五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。

图T1.5

六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：

（1）Rb＝50kΩ時，uO＝？

（2）若T临界饱和，则Rb≈？

图T1.6

七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它們的启动电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。

表T1.7

管号

UGS（th）/V

US/V

UG/V

UD/V

工作状态

T1

4

－5

1

3

T2

－4

3

3

10

T3

－4

6

0

5

基本放大电路

一、判断下列說法与否对的，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。

（1）現测得两个共射放大电路空载時的电压放大倍数均為－100，将它們连成两级放大电路，其电压放大倍数应為10000。()

（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，()它只能放大交流信号。()

（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点互相影响，()它只能放大直流信号。()

（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。()

（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。()

（6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。()

（7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真状况下，负载上也許获得的最大交流功率。()

（8）当OCL电路的最大输出功率為1W時，功放管的集电极最大耗散功率应不小于1W。()

二、既有基本放大电路：

A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路。根据规定选择合适电路构成两级放大电路。

（1）规定输入电阻為1kΩ至2kΩ，电压放大倍数不小于3000，第一级应采用，第二级应采用。

（2）规定输入电阻不小于10MΩ，电压放大倍数不小于300，第一级应采用，第二级应采用。

（3）规定输入电阻為100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值不小于100，第一级应采用，第二级应采用。

（4）规定电压放大倍数的数值不小于10，输入电阻不小于10MΩ，输出电阻不不小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（5）设信号源為内阻很大的电压源，规定将输入电流转换成输出电压，且Au1000，输出电阻Ro＜100，第一级