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《 三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》范文.docxVIP

《 三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》范文.docx

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    《三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》篇一

    三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究一、引言

    随着现代电子技术的快速发展，陶瓷电容器因具有高介电性能、低损耗等优点，在电子设备中扮演着重要角色。CCTO（CaCu3Ti4O12）陶瓷因其高介电常数和温度稳定性等特性而备受关注。近年来，通过施主掺杂/取代的方法，尤其是三价稀土离子的引入，对CCTO陶瓷的介电性能产生了显著影响。本文旨在研究三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理。

    二、三价稀土离子掺杂/取代的CCTO陶瓷制备

    制备CCTO陶瓷时，通过控制掺杂/取代

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