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封装工艺流程简介（3）

FOL

EOL

封装工装工艺流程简介艺流程简介

设备:

材料:

Taping贴保护膜

描述:

Photo1

胶膜

晶圆

在圆片表面贴上一层保护膜以防止在磨片过程中圆片表面线路受

损。作业平台

路受损

BG+W/M+DtiBG+W/M+De-taping背部研磨+贴片+去胶膜

描述:

通过研磨轮对圆片的去胶膜

贴片

背面进行研磨，使其符合封装工艺要求。

研磨砂轮

原始厚度晶圆

晶圆背面

WS圆片切割

描述:

通过高速旋转的刀片将绷膜好的wafer切割成单个的芯片，与此

同时冷却水和离子水一边冷却由于高速摩擦而产生的热量;一边清洗划

片时产生的硅屑。Lasergrooving

激光开槽

描述:

描述

在极短的时间内，激光

雷射能量通过聚光

棱镜集中照射到微

小的面积上，使固

小的面积上使固

体升华或者蒸发，

从而达到切割的目

的.主要用于Low-K

圆片的切割

SMT表面贴装

描述:

将电容，电阻，电感

等元器件通过锡膏贴焊

于基板上,然后通过

Reflow焊接，最后通过

Cleaning机台清洗产品

表面的助焊剂。SurfaceMountTechnology

SolderPastePrinting

SMTCleaninggSMTreflow

防氧

Baking烘烤

描述:

设备:

N2以防止PCB氧化N2inlet

PCB需要在做DA之前做一下烘烤，以去除PCB中的水分，提高

产品的可靠性能。

CarrierCarrier

Outlet

描述:

利用银浆或Fil的DieAttach装片

利用银浆或Film的粘性将切割好的好的晶粒吸取并粘贴于基板上,

以便于后制程作业。

DAC装片后烘烤

描述:

装片后的基板需要放在烘箱中进行烘烤，以确保银浆或者Film能

粘住芯片。

封装工装工艺流程简介艺流程简介

Plasma等离子清洗

描述设备:

描述:

使用电解氩离子和高活性原子，将表面污染形成挥发性气体，再

有真空系统带走，达到表面清洁之作用，使得焊线时结合力更好。

WB球焊

描述设备:

描述:

利用金线(铜线)将晶粒与基板上的外接电W/B质量的好Capillary

路连接，W/质量的好坏直接影响到产品的可靠性,性能和使用寿命。

金线焊针

py

Wire

金手指

晶粒

铝垫

Plasma(BeforeMD)等离子清洗

描述:设备:氩离子H2O

Ar2+O2使用电解氩离子和氧

离子，将表面污染及碳化物清洗掉，以增

U

氧离子CO2

加PCB与塑封料的结合

，提高产品的可靠性

能。

等离子清洗示意图

MD包封

设备:描述:

将前道完成后的产品

，使用塑封料把芯片

塑封起来,免受外力损

坏。同时加强器件的

坏同时加强器件的

物理特性便于使用。

PMC包封后烘

描述:

N2inlet

Carrier把