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第一章光电检测技术基础
第一节光辐射度量与光度量
一、填空题:
1、通常把对应于真空中波长在()到()范围内的电磁辐射称为光辐射。
2、在光学中,用来定量地描述辐射能强度的量有两类,一类是(),另一类是()。
3、光具有波粒二象性,既是(),又是()。光的传播过程中主要表现为(),但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的()。
二、概念题:
视见函数、辐射通量、辐射亮度、辐射强度
三、简答题:
1、辐射度量与光度量的根本区别是什么?
2、辐射照度和辐射出射度的区别是什么?
四、计算及证明题:
1、证明点光源照度的距离平方反比定律,两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍?
第二节半导体物理基础
一、填空题:
1、物体按导电能力分()()()。
2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是()、()。
3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关:一是在能带中(),二是这些能态中()。
4、半导体对光的吸收有()()()()()。半导体对光的吸收主要是()。
二、概念题:
1、禁带、导带、价带
2、热平衡状态
3、强光注入、弱光注入
4、非平衡载流子寿命τ
三、简答题:
1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么?
2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小?
3、产生本征吸收的条件是什么?
第三节光电效应
一、概念题:
1、光电效应
2、光电发射第一定律
3、光电发射第二定律
二、简答题:
1、外光电效应和内光电效应的区别是什么?
三、计算题
1、本征半导体材料锗在297K下其禁带宽度Eg=0.67(eV),现将其掺入杂质汞,掺入汞后其成为电离能Ei=0.09(eV)的非本征半导体。试计算本征半导体锗和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。
2、某种光电材料的逸出功为1eV,试计算该材料的红限波长。(普朗克常数h=6.626×10-34(J.s),光速C=2.998×108(m/s),电子电量e=1.6×10-19库仑)
第二章、光电检测器件
第一节、基本特性参数
一、概念题
1、光电探测器的响应度(或灵敏度)
2、信噪比
3、最小可探测功率
二、简答题
热电检测器件和光电检测器件的特点是什么?
第二节、真空光电探测器件
一、简答题
1、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么?
2、光电倍增管的供电电路注意哪些问题?
二、文献检索(电子作业发至wlty21@)
什么是负电子亲和势(NEA)光电阴极?原理?
第三节、半导体光电检测器件
路灯自动点熄原理图如图所示,分析它的工作原理。
第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择
一、分析题
1、红外报警电路如图所示,分析它的工作原理?
二、画图解释题
1、用PN结简图表示出光生电压的极性和光生电流的方向。
第三章、热电检测器件
第一节、热电检测器件的基本原理
一、填空题:
热电探测器是将辐射能转换为()能,然后再把它转换为()能的器件。
二、简答题:
1、热电探测器与光电探测器比较,在原理上有何区别?
2、热电探测器与普通温度计有何区别?
3、简述辐射热电偶的使用注意事项。
第二节、热电偶与热电堆
一、填空题:
热电探测器是将辐射能转换为()能,然后再把它转换为()能的器件
二、简答题:
1、热电探测器与光电探测器比较,在原理上有何区别?
2、热电探测器与普通温度计有何区别?
3、简述辐射热电偶的使用注意事项
第四节、热释电探测器
一、概念题:
1、电极化;
2、居里温度
二、简答题:
1、为什么由半导体材料制成的热敏电阻温度系数是负的,由金属材料制成的热敏电阻温度系数是正的?
2、简述热释电探测器的工作原理。
1、可见光的波长、频率和光子的能量范围(给出计算公式)各是多少?
2、一块半导体样品,有光照时电阻为50Ω,无光照时为5000Ω,求样品的光电导。
3、热电探测器与普通温度计有何区别?
第四章、发光与耦合器件
第二节、激光器
一、填空题:
1、发光二极管的发光亮度,基本上是正比于()。
2、氦氖激光器以()电源驱动。从结构上分()()()激光器。
3、发光二极管将()能转变为()能。
二、简答题:
1、半导体发光二极管的发光原理
2、应用发光二极管时注意哪些要点?
3、激光的产生有哪些条件?
4、简述注入式半导体激光器的发光过程。
5、使用半导体激光器时以什么方式(连续或脉冲)驱动为宜?
三、计算题
如图所示发光二极管应用电路,已知VCC=5V,发光二
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