SK海力士HBM核心受益标的，工艺和客户优势明显.docx

目录

焦点图表 3

投资概述 5

存储产品丰富，加速导入先进制程提升竞争力 6

SK海力士具备丰富DRAM和NAND产品 6

积极导入1β、1γ制程，提高竞争力 7

HBM业务：2025年SK海力士有望维持主导地位，2026年市场争夺或愈发激烈 9

SK海力士采用差异化路线，从HBM2E开始开发MR-MUF工艺并逐步积累优势 9

2H24-2025年SK海力士有望继续主导HBM市场 13

SK海力士2026年或面临更大市场份额竞争 14

DRAM产品价格随服务器和AI手机需求恢复逐步提升 16

AI服务器需求持续拉动DDR5和HBM的需求和价格 16

AI智能手机有望在2025-2027年拉动DRAM需求和价格 17

AI电脑有望在2025-2027年逐步拉动内存需求 18

SK海力士决定追加DRAM产能投资 19

NAND供给：以获利为主或进一步控产 21

通过收购成为全球第二大NAND厂商 21

坚持减产盈利战略，NAND盈利状况从1Q24恢复 21

财务预测 23

HBM业务2024/25年收入有望分别达95亿/222亿美元 23

传统DRAM业务2024和2025年收入或维持平稳增长 23

传统NAND业务2024和2025年收入有望分别达151和160亿美元 24

经营利润率有望在2024年提升至35%，2025年或进一步改善至39.7% 25

资本开支2024有望达到15.2万亿韩元，预计自由现金流2024年为6.3万亿韩元 26

估值 28

基于分部加总法（SOTP）的目标价为259,786韩元 28

DCF估值 31

风险提示 33

公司背景介绍 34

焦点图表

图表1：2019年之后SK海力士推出HBM3和HBM3E的时间点均明显早于三星电子和美光

资料来源：半导体产业洞察，华兴证券

图表2：SK海力士HBM出货量预测

SK海力士HBM出货量 2023 2024E 2025E 2026E 2027ESK海力士月产能估算（晶圆，片) 29,800 68,600 108,200 152,000 197,600

SK海力士实际年产能估算（晶圆，片) 188,900 611,000 1,080,600 1,580,400 2,120,400

平均稼动率(%) 89.5% 88.0% 88.0% 88.0% 88.0%

SK海力士产量（晶圆，片) 169,054 537,680 950,928 1,390,752 1,865,952

每12寸晶圆切割数量 550 550 550 550 550

良率（%） 73% 76% 77% 77% 77%

每12寸晶圆合格裸晶数量 401 420 421 421 421

产量/出货量比率 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98

合格裸晶出货量（百万颗） 66 221 392 573 769

HBM层数 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0

HBM供给量（百万颗） 8.3 26.0 43.6 60.4 76.9

HBM单颗携带存储容量（GB) 2.5 2.8 3.0 3.0 3.0

HBM字节(百万GB) 166 620 1,176 1,720 2,308

资料来源：TrendForce,华兴证券预测

图表3：SK海力士主要DRAM工厂和必威体育精装版动态汇总

工厂名称

实际月产能

（千片

晶圆)

竣工时间

主要产品

必威体育精装版动态

利川M10

30

2005

第二代（1γ）和第三代（1z）DRAM

将利川M10工厂部分产线转换为HBM，最近已新设相关工作小组。改建面积约3,300平方米，预计最快于2025年初设置符合HBM生产标准的无尘室

无锡C2

180

2009 第二代（1γ）和第三代（1z） 计划升级改造后生产第四代（1a）10nmDRAM

DRAM 工艺

利川M14

140

2012 第二代（1γ）和第三代（1z） 无

DRAM

利川M16

20

2018年11月开工，共投入3.5万亿韩元。

2021 第四代（1a）10nmDRAM M16导入EUV工艺，并生产第四代10nm

DRAM产品

资料来源：半导体观察，韩联社中文网，闪存市场，ChosunDaily，华兴证券

图表4：SK海力士DRAM和HBM新工厂必威体育精装版动态汇总

工厂名称

用途

资本开支

（十亿