N-Al共掺p型ZnO薄膜制备及形成机理研究的开题报告.pdfVIP

N-Al共掺p型ZnO薄膜制备及形成机理研究的开题

报告

开题报告

题目：N-Al共掺p型ZnO薄膜制备及形成机理研究

一、选题背景及意义

氧化锌（ZnO）因其广泛的透明性、光电性、机械性和化学惰性，

而被广泛应用于光电子领域。在纳米尺度下，ZnO表现出了许多独特的

性质，如光子量子限制效应、荧光、增强的荧光和拉曼效应等。因此，

研究ZnO材料在微尺度下的电学和光学性质对于开发新型光电器件具有

重要意义。

目前，大多数研究工作都集中在n型ZnO薄膜上，但p型ZnO薄膜

的制备研究还比较少，这会限制其在集成电路和光电器件中的应用。N-Al

共掺p型ZnO薄膜是一种潜在的替代方案。

二、研究内容及方法

本文旨在研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的制备和形成机理。主要研究

内容如下：

1.N-Al共掺ZnO薄膜的制备方法研究：采用化学气相沉积（CVD）

技术，利用有机金属化合物为前驱体和掺杂源制备N-Al共掺ZnO薄膜。

2.特性分析：利用场发射扫描电镜（FESEM）、透射电子显微镜

（TEM）、X射线衍射（XRD）和荧光光谱等手段对N-Al共掺ZnO薄膜

进行表征。

3.形成机理研究：通过研究N-Al共掺ZnO薄膜的导电性、光学性

能以及结晶结构等特性，探讨其形成机理。

三、预期成果及意义

通过制备N-Al共掺p型ZnO薄膜并研究其形成机理，将有助于理解

ZnO薄膜的光学和电学性质，促进其在光电器件领域的应用。同时，该

研究可为n型ZnO薄膜和其他类别的p型ZnO薄膜的制备提供参考。