《 自旋转移矩磁随机存储器翻转机理及优化》范文.docx

《自旋转移矩磁随机存储器翻转机理及优化》篇一

一、引言

随着信息技术的发展，存储器的性能与功能逐渐成为影响计算机系统性能的关键因素。磁随机存储器（MRAM）作为一种新型的非易失性存储器，具有高速度、低功耗、高可靠性等优点，逐渐成为研究的热点。自旋转移矩磁随机存储器（STT-MRAM）作为MRAM的一种，其利用自旋转移矩效应实现数据的存储与翻转，具有广阔的应用前景。本文将深入探讨自旋转移矩磁随机存储器的翻转机理及其优化方法。

二、自旋转移矩磁随机存储器的基本原理

自旋转移矩磁随机存储器（STT-MRAM）是一种基于自旋电子学的存储器技术。其基本原理是利用自旋转移矩效应，通过控制自由层磁矩的取向来