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《自旋转移矩磁随机存储器翻转机理及优化》篇一
一、引言
随着信息技术的发展,存储器的性能与功能逐渐成为影响计算机系统性能的关键因素。磁随机存储器(MRAM)作为一种新型的非易失性存储器,具有高速度、低功耗、高可靠性等优点,逐渐成为研究的热点。自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)作为MRAM的一种,其利用自旋转移矩效应实现数据的存储与翻转,具有广阔的应用前景。本文将深入探讨自旋转移矩磁随机存储器的翻转机理及其优化方法。
二、自旋转移矩磁随机存储器的基本原理
自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)是一种基于自旋电子学的存储器技术。其基本原理是利用自旋转移矩效应,通过控制自由层磁矩的取向来
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