YS_T1105-2024半导体封装用键合银丝.pptxVIP

YS_T1105-2024半导体封装用键合银丝本标准规定了半导体封装用键合银丝的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存。本标准适用于半导体封装用键合银丝的生产、检验和验收。hdbyhd

标准概述YS_T1105-2024本标准规定了半导体封装用键合银丝的术语和定义、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和使用注意事项。目的本标准的目的是为了规范半导体封装用键合银丝的生产和使用，保证其质量和可靠性，促进半导体产业的发展。

适用范围半导体封装本标准适用于用于半导体封装过程的键合银丝。芯片连接键合银丝用于连接芯片引脚，确保电子信号传输。电子器件本标准涵盖适用于各种电子器件，包括集成电路、传感器和存储设备的键合银丝。

术语和定义键合银丝用于半导体封装的金属线材，由银制成，用于连接芯片和基板。半导体封装将半导体芯片封装在一个保护性外壳中，使其能够连接到电路板上。焊接性能指银丝与其他金属材料之间的连接强度，以及焊接过程的可靠性。导电性能指银丝的导电能力，通常以电阻率来衡量。

基本要求11.纯度银丝的纯度应符合标准要求，以确保良好的导电性和焊接性能。22.尺寸银丝的直径和长度应符合标准规定，以确保其与芯片和封装结构的兼容性。33.表面银丝的表面应光洁平整，无明显缺陷，以保证良好的键合性和导电性能。44.机械性能银丝应具有足够的强度和韧性，能够承受键合过程中的拉伸和弯曲。

化学成分元素含量/%Ag≥99.9Au≤0.005Cu≤0.005Fe≤0.005其他元素≤0.01YS_T1105-2024标准规定了半导体封装用键合银丝的化学成分，其中银的含量应不低于99.9%，而金、铜、铁等杂质元素的含量则有严格的限制。

机械性能键合银丝的机械性能是决定其焊接可靠性和芯片性能的关键指标之一。YS_T1105-2024标准对银丝的抗拉强度、伸长率、弯曲性能等提出了具体要求。银丝的抗拉强度是衡量其承受拉力而不被拉断的能力。伸长率是指银丝在断裂前所能承受的拉伸变形程度。弯曲性能是指银丝在弯曲过程中抵抗断裂的能力。

导电性能YS_T1105-2024标准规定了键合银丝的电阻率、电导率和电流承载能力等参数。这些参数对于确保键合银丝在半导体封装中能够可靠地传输电流至关重要。0.00001电阻率Ω·m100电导率MS/m10电流承载能力A

焊接性能键合银丝的焊接性能对于确保芯片与封装材料之间的牢固连接至关重要。良好的焊接性能能够抵抗热冲击、机械振动和电气应力，保证设备的可靠性和使用寿命。100%焊点强度满足芯片封装的可靠性要求95%焊点一致性保证焊接过程的稳定性和重复性

热处理工艺1退火提高银丝的延展性和韧性。2固溶处理提高银丝的强度和硬度。3时效处理提高银丝的耐腐蚀性能。热处理工艺是控制银丝微观结构和性能的重要步骤，以满足半导体封装应用的要求。

检验项目化学成分通过化学分析方法，测定银丝的化学成分，确保符合标准要求。机械性能进行拉伸试验，测量银丝的抗拉强度、伸长率等指标。导电性能测试银丝的电阻率、电阻温度系数等参数，确保其良好的导电性能。焊接性能评估银丝与其他金属的焊接性能，确保其在焊接过程中能够形成牢固的连接。

检验方法化学成分分析使用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）或其他适宜方法测定银丝的化学成分。机械性能测试使用万能试验机进行抗拉强度、延伸率和断裂伸长率测试，并记录结果。导电性能测试使用四探针法测试银丝的电阻率，并根据测试结果计算导电率。焊接性能测试使用标准焊接方法将银丝焊接到测试基材上，并进行外观检查、拉伸强度测试和金相分析。热处理工艺验证将银丝进行热处理，并对其进行显微镜观察，以评估热处理工艺的有效性。

取样11.代表性样本从每个批次中随机选取一定数量的银丝样本，以确保代表性。22.样本数量样本数量应满足相关标准要求，以确保检验结果的准确性。33.样本标记每个样本应清晰标记，包括批次号、生产日期等信息。44.样本保存样本应妥善保存，避免污染或损坏，以确保检验数据的可靠性。

合格判定符合性判定如果所有检验项目均符合本标准要求，则判定该批键合银丝为合格。不合格判定如果任何一项检验项目不符合本标准要求，则判定该批键合银丝为不合格。复验对不合格的键合银丝，可进行复验，复验结果仍不合格，则判定该批键合银丝为不合格。

标识产品名称应标明“半导体封装用键合银丝”。标准编号应标明“YS_T1105-2024”。生产日期应标明生产日期，采用“年-月-日”的格式。生产厂家应标明生产厂家的名称和地址。

包装银丝卷轴银丝应卷绕在合适的卷轴上，并用防潮纸或其他适当材料包装，以防止损伤和氧化。包装盒卷轴应放置在合适的包装盒中，并使用防震材料填充以防止运输过程中损坏。运输包装包装盒应放置在合适的运输容器中，并进