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半导体物理教案－6
§2－2典型半导体中的杂质和缺陷能级
一、硅、锗晶体中的杂质能级
1、浅能级
硅、锗晶体中常用的浅施主杂质有P、As、Sb，浅受主杂质有B、Al、Ga。这些杂质的电离能
在禁带较宽的硅中大约是0.04－0.05eV，在锗中大约是0.01eV左右。如书中表2-1、2所示
Li在硅、锗中是间隙式杂质，是浅施主，能级距导带底分别为0.034eV和0.009eV。
In、Tl在锗中的电离能为0.01eV，是典型的浅受主；在硅中的电离能分别为0.16eV和0.25eV，
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