《GBT 41325-2022集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》必威体育精装版解读.pptx

《GB/T41325-2022集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》必威体育精装版解读;目录;目录;目录;目录;目录;目录;PART;国际化接轨;意义;PART;;清洗与检测;集成电路制造;PART;随着集成电路的不断发展，芯片的尺寸越来越小，对抛光片的要求也越来越高。;去除加工痕迹;集成电路用抛光片的发展趋势;PART;;;金属沾污;;PART;直径大小;不同晶向的硅单晶在抛光过程中表现出不同的性能，如抛光速率、表面粗糙度等。;PART;电阻率范围;电阻率的重要性;PART;优良的物理和化学性能;Low-COP抛光片的特点;PART;标准的制定过程;主导标准的起草工作，负责制定标准的具体内容和条款。;PART;;标准化管理;PART;官方发布日期;生产企业;PART;市场需求大;规定了硅单晶抛光片的直径、厚度等尺寸参数，确保产品符合集成电路制造的需求。;;PART;导电类型测试方法;电阻率测试方法;PART;减少晶体中的原生缺陷，如空位、间隙原子等，以提高少数载流子寿命。;;选用低含碳量的多晶硅原料，减少原料中的碳含量。;PART;;该标准对低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片的术语、定义、技术要求等进行了明确规定，为行业提供了统一的参考依据。;技术难度高;PART;;;;直径偏差的影响;PART;表面取向是指硅片表面与晶体轴之间的夹角关系，通常用米勒指数表示。;;PART;;;;标记及包装要求;PART;;选用符合标准要求的抛光设备，确保设备精度和稳定性。;粗抛;表面质量检查;PART;样品准备;放置样品;注意事项与常见问题处理;测试过程中，操作人员应佩戴防静电手环，防止静电干扰。;;PART;四探针法;温度;;PART;测试设备;总厚度变化测试;PART;;采用高精度表面轮廓仪或原子力显微镜等仪器。;PART;;;PART;优化生产工艺;利用光学显微镜对硅片表面进行逐点扫描，观察并统计局部光散射体的数量、大小和分布。;形态分析;PART;;表面应无裂纹、划痕、麻点、污渍等缺陷;;PART;;;;PART;;;避免污染;PART;参照国际标准;;PART;;明确质量标准;;;PART;对不合格品进行明确标识，并隔离存放，防止与合格品混淆。;;PART;包装材料;;硅片应采用专业的运输工具进行运输，避免在运输过程中受到挤压、碰撞等机械损伤。;贮存环境;PART;具有良好的防潮、防静电性能，适用于包装硅片。;真空包???;PART;应包含产品名称、规格型号、生产厂家等基本信息。;标志清晰度要求;PART;;;;;PART;应在15℃～30℃之间，避免过高或过低的温度对硅片造成影响。;;PART;编制背景;编制依据;文件的组成与内容;编制流程;PART;;;;;PART;;促进行业技术进步;公平竞争;;PART;良好的加工性能;Low-COP产品的制造需要高纯度的原材料，如何有效控制原料中的杂质含量是研发过程中的关键难点。;高端集成电路需求增长;PART;;对原生硅材料进行严格筛选，确保无杂质、无裂纹、无缺陷。;PART;;自主创新;;PART;国产替代趋势;;PART;;;;影响芯片的机械强度和稳定性;PART;减少电流泄漏;抛光片表面质量的提高，可减少器件在制造和使用过程中的磨损和腐蚀，延长器件寿命。;;准确评估电路性能;PART;优化电路设计;;其他相关因素;PART;;发展趋势;PART;;采用精密的切片和粗磨技术，将晶体加工成符合要求的抛光片基材。;抛光性能评估;;PART;;放置样品;;PART;;国际竞争;随着技术的不断进步，集成电路抛光片将不断向更高精度、更低缺陷率的方向发展。;PART;高纯度多晶硅;;严格质量检测;;THANKS