Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note Gate Driver Configuration and Short Circuit Protection for 3-Level Topologies EN Rev-00 应用指南.pdf

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ApplicationNoteRevision:00

AN19-001Issuedate:2019-05-29

Preparedby:JoachimLamp

Approvedby:IngoRabl

Keyword:NPC,TNPC,IGBT,Driver,3-Level

GateDriverConfigurationandShortCircuit

Protectionfor3-LevelTopologies

1.General1

2.3-LevelTopology1

3.SwitchingPatternofa3-LevelConverter4

3.1NPCtopology4

3.2TNPCtopology4

4.IGBTpeakvoltage5

4.1NPCtopology5

4.2TNPCtopology6

5.ShortCircuitScenarios7

5.1Shortcircuitattheinverteroutput7

5.2Shortcircuitinsidetheinverter8

6.Shortcircuitprotectiondesign9

6.1Phasetophaseshortcircuitprotection9

6.2PhasetophaseandphasetoDCshortcircuitprotection10

7.SpecialDriverBoardSetupfor3-Level14

8.Summary15

1.General

3-leveltopologiesaremainlyusedinUPSandsolarapplicationsduetotheirhighefficiencyandlowharmonic

distortionofthegrid.Thisapplicationnotedescribesthecontrolandprotectionofpowersemiconductorsin

3-levelNPCandTNPCtopologies.InthiscontextthetermIGBTissynonymouswithpowersemiconductors.

EssentialforthedesignofthedriveristolimitthevoltageattheIGBTandhandlingofshortcircuits.This

applicationnoteisstructuredaccordingly.

Afterthisintroduction,chapters2and3explainthestructureandswitchingpatternofthe3-leveltopology.

Chapter4describesthecommutationcircuitsandhowtolimitthevoltageattheIGBT.Chapte

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