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《电子技术基础》课程习题集

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习题

【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算

题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本

习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题

1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U=1.2V，U=0.5V，U=3V，该三极管处在（）

BEC

状态。

A.击穿B.截止C.放大D.饱和

2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性

3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子

4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置

5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I=10μA时，I=1mA；而I=20μA时，I=1.8mA，

BCBC

则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.180

6.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区

7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为

（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管

8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U=2.8V，U=2.1V，U＝3.6V，则该管处于

BEC

（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿

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10.P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于

11.N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素

12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏

13.下列关于半导体的说法正确的是（）。