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接在中压端子与低压端子之间的电容器。
2.6电容分压器的接线端子
高压端子:与线路连接的端子。
中压端子:连接电磁单元的端子。
低压端子:直接接地或通过排流线圈接地的端子。
2.7电容允许偏差
实际电容与额定电容间允许的差值
国标规定:单元、叠柱及电容分压器的电容C的偏差,应为实测电容与额定电容
相对偏差不大于-5%~+10%。叠柱中任意两个单元的实际电容之比与这两个单元的额定
电压之比的倒数之间相差不大于5%。
CVT用电容分压器可以要求较小的分压比偏差。
式中:C——单个元件的电容
0
n——串联元件的数量
在任何试验过程中,单元、叠柱或电容分压器的电容C的变化值应不超过相当于
一个元件的电容量。
为了显示出一个或多个元件击穿所引起的电容变化,应在型式试验和例行试验之前
进行预先的电容测量,测量时采用足够低的电压〔低于15%额定电压〕,以防止元件发
生击穿。
2.8中间电压U
C
当一次电压施加在高压端子与低压端子或接地端子之间时,电容分压器中压端子与
低压端子或接地端子之间的电压。
CVT的中间电压主要由其准确级和二次输出而定。准确级高、二次输出大,需选
取较高的中间电压。通常中间电压在11.5/√3~36/√3kV范围内选取。
2.9电容分压器的额定分压比K
CN
施加在电容分压器上的电压与开路中间电压的比值的额定值。
K=〔C+C〕/C。
CN1N2N1N
2.10电容温度系数T
C
给定温度变化量下的电容变化率
式中:ΔC——在温度间隔ΔT测得的电容变化值。
C——20℃时测得的电容量。
20℃
ΔC/Δ用曲线或表格表示。低于20℃时ΔT为负值,高于20℃时ΔT为正值。
2.11低压端子杂散电容
低压端子与接地端子之间的杂散电容。
2.12低压端子杂散电导
低压端子与接地端子之间的杂散电导。
3电磁单元
接在电容分压器的中压端子与接地端子之间,用以提供二次电压。
电磁单元主要由一台变压器和一个补偿电抗器组成。变压器将中间电压降低到二
次电压要求值。在额定频率下,补偿电抗器的电抗值近似等于电容分压器两局部电容并
联〔C+C〕的容抗值。补偿电感可以全部或局部并入变压器之中。
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3.1中压变压器
实际上是一台电磁式电压互感器,在正常使用时,其二次电压正比于一次电压。
3.2补偿电抗器
一个有铁心的电抗器,通常接在中压端子与中压变压器一次绕组的高压端子之间,
或接在接地端子与中压变压器一次绕组接地侧端子之间,或者并入中压变压器的一次和
二次绕组内。
补偿电抗器电感的设计值为:。
3.3阻尼装置
电磁单元中与二次负荷并联的一种装置,其用途是:
a〕限制一个或多个部件上的过电压。
b〕抑制持续的铁磁谐振。
c〕改善电容式电压互感器暂态响应特性。
3.4补偿电抗器的保护器件
并联在补偿电抗器两端子的一个器件,用以限制系统过电压或CVT铁磁谐振引起
补偿电抗器的过电压。而且有利于阻尼CVT的铁磁谐振。可以采用避雷器或其他放电
间隙。
4载波附件
散电容——ε=2~2.2〕代替纸—油绝缘〔ε=3.6〕,杂散电容可减小到规定值。在载波
工作频率〔30—500〕kHz范围内,杂散电容不大于(300+0.05C)pF。
N
a〕排流线圈
接在电容器的低压端子与地之间的一个电感元件,排流线圈的阻抗在工频下很小,
但在载波频率下具有高阻抗值。
b〕限压器件
接在排流线圈两端或接在电容分压器低压端子与地之间一个器件,用以限制在以下
情况下出现在排流线圈上的过电压。
〔ⅰ〕在高压端子对地发生短路
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