详细的MOS管运用电路课件.pptVIP

.*第3章场效应管及其应用3.1场效应管及其应用3.2场效应及其放大电路.*3.1场效应管场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。3.1.1结型场效应管1.结型场效应管的结构及工作原理1)基本结构及符号如图3.1(a)所示,在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域,形成两个PN结,把两个P型区相连后引出一个电极,称为栅极,用字母G(或g)表示。.*图3.1结型场效应管结构与符号图结构;(b)N沟道结型场效应管符号;(c)P沟道结型场效应?.*2)工作原理图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接线图。2.特性曲线场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特性曲线。1)转移特性在uDS一定时,漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系称为转移特性。即(3.1).*图3.2N沟道结型场效应管工作原理.*图3.3N沟道结型场效应管转移特性曲线.*2)输出特性输出特性是指栅源电压uGS一定,漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系,即在UGS(off)≤uGS≤0的范围内,漏极电流iD与栅极电压uGS的关系为(3.2)(3.3).*图3.4N沟道结型场效应管输出特性曲线.*3.1.2绝缘栅型场效应管1.增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理1)结构及符号2)工作原理图3.5增强型MOS管结构及符号图(a)N沟道结构图;(b)N沟道符号;(c)P沟道符号.*图3.6N沟道增强型MOS管工作原理.*3)特性曲线（1）N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。在uGS≥UGS（th）时,iD与uGS的关系可用下式表示:(3.4)其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。（2）N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线如图3.7（b）所示。.*图3.7N沟道增强型场效应管特性曲线（a）转移特性;（b）输出特性.*2.耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。其结构与增强型场效应管的结构相似,不同的是这种管子在制造时,就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。.*图3.8耗尽型MOS管结构及符号图(a)N沟道结构图;（b）N沟道符号;（c）P沟道符号?.*图3.9N沟道耗尽型场效应管特性曲线（a）转移特性;（b）输出特性?在uGS≥UGS（off）时,iD与uGS的关系可用下式表示:(3.5).*3.1.3场效应管的主要参数及使用注意事项?1.主要参数1）夹断电压UGS（off）或开启电压UGS（th）2）饱和漏极电流IDSS3）漏源击穿电压U（BR）DS4)栅源击穿电压U（BR）GS5）直流输入电阻RGS6）最大耗散功率PDM7）跨导gm在uDS为定值的条件下,漏极电流变化量与引起这个变化的栅源电压变化量之比,称为跨导或互导,即?(3.6).*